BP110系列SOI硅压阻压力敏感芯片

 1、主要特点

• 数字化系统协同设计、MEMS工艺制造

• SiO₂层绝缘隔离扩散硅敏感电阻

• 消除PN结反向饱和漏电流、时漂特性优化

• 适应高宽工作温度范围

• 自补偿恒流激励满量程热漂移

• 多种惠斯登电桥开/闭合连接形式

• 应力匹配玻璃衬片隔离

• 表压、绝压、差压类型齐全

• 覆盖低、中、高宽压力测量量程

2、主要技术指标

 

序号	项目	规格指标				备注
1	基准压力量程	表压、差压		绝压
		0～1kPa、2kPa、3kPa、6kPa、10kPa、20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、10MPa		100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、 6MPa、10MPa、20MPa、20MPa、40MPa、60MPa、100Mpa、150MP
2	量程过载能力	≥3倍基准量程（≤10MPa）； ≥1. 5倍基准量程（＞10MPa）； ≥1. 25倍基准量程（≥60MPa）				1*
3	桥路电阻	3～5kΩ
5	零点输出	≤ ±25mV				2*
6	满量程输出	≥20mV（20kPa、35kPa）；  ≥30 mV（20kPa、30kPa）；   ≥50 mV（其它基准量程）				2*
7	准确度	≤ ±0.2%FS （其它基准量程）；   ≤ ±0.25%FS （≤60kPa、≥60MPa、100MPa）  ± 0.5%FS（≤10kPa）				2*、3*
8	灵敏度对称性	≤ ±0.2%FS				3*
9	工作温度范围	-55～+150℃；
10	热零点漂移	≤ 1%FS/55℃（≤10kPa）；      ≤ 0.8%F.S /55℃（其它基准量程）				4*、5*
11	热灵敏度漂移	≤2%FS/55℃（≤10kPa）；       ≤ 1%F.S /55℃（其它基准量程）				4*、5*
12	短期稳定性	≤±0.03%FS/8h				2*
13	激励电源	恒流0.5～1.5mA,或恒压5V～10V
14	电桥连接形式	闭桥
15	芯片表面尺寸	≤3.5×2.75（mm）	≤2.3×2（mm）		≤1.55×1.55（mm）	6*

 

                  注：1^*. 150MPa量程过载为本量程上限；          4^*. 1mADC恒流激励，恒温25℃；

                             2^*. 5VDC恒压激励，恒温25℃；                5^*. 55℃温区为-30～25℃或25～80℃；

                             3^*. 非线性数据计算为最小二乘法；            6^*.硅片厚度c=500μm。

注：可提供定制服务，如有需求请与营销人员联系。